La taiwanesa TSMC, la mayor fundición de semiconductores del mundo, planea iniciar la producción en masa de su proceso de 2 nanómetros de próxima generación con Tecnología de Puerta Todo Alrededor (GAA) en el segundo semestre de este año. Samsung Electronics, pionera en la tecnología GAA en el nodo de 3 nm, también se prepara para lanzar su propio proceso de chips de 2 nm a finales de este año.
Según fuentes de la industria, el 15 de junio, TSMC iniciará simultáneamente la producción de 2 nm en sus instalaciones de Baoshan y Kaohsiung, dentro del Parque Científico de Hsinchu, Taiwán. El proceso de 3 nm sigue siendo el más avanzado actualmente en el mercado de la fundición.
El proceso de 2 nm de TSMC será el primero en aplicar la tecnología GAA a esta escala. GAA reduce significativamente las fugas de corriente, superando las limitaciones del escalado tradicional y permitiendo un mayor rendimiento y una mayor eficiencia energética. Samsung fue el primero en implementar GAA en producción en masa con sus chips de 3 nm en 2022.
Según informes, el rendimiento de 2 nm de TSMC se mantiene estable en torno al 60-70 %. Clientes importantes como Apple, Nvidia y AMD están considerando externalizar la producción de chips al nuevo proceso de 2 nm de TSMC.
Samsung también tiene como objetivo la producción en masa de chips de 2 nm en el segundo semestre del año. Gracias a la experiencia adquirida con la aplicación de GAA a 3 nm, Samsung se considera que tiene una ventaja sobre la competencia en la estabilización de la tecnología.
La compañía busca reducir la brecha con TSMC y se centra en captar clientes importantes. Ya ha conseguido pedidos de chips de IA de 2 nm de la startup japonesa de IA Preferred Networks (PFN).
En su informe del primer trimestre, Samsung afirmó que planea comenzar a distribuir productos móviles de 2 nm a finales de este año y que trabaja activamente para asegurar la demanda mediante una producción en masa exitosa.
